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模拟 / 混合信号 ATE 的关键技术与应用实践

发布时间:2025-08-03 23:42人气:


一、引言

模拟与混合信号集成电路(IC)的测试是半导体制造的核心环节,其精度与效率直接影响产品性能与量产成本。随着 5G 通信、汽车电子、工业自动化等领域的快速发展,放大器、ADC/DAC、电源管理芯片、RF 收发器等器件的测试需求日益严苛。本文聚焦模拟 / 混合信号 ATE 的核心技术指标,结合实际应用案例,探讨其在高精度测试中的挑战与解决方案。

二、信号源精度:频率、幅度与失真的极致追求

信号源作为 ATE 的 “心脏”,其精度直接决定测试结果的可靠性。以 ADI 的 AD5791 DAC 为例,通过 R-2R 电阻网络与薄膜匹配技术,可实现 1ppm 的相对精度和 0.05ppm/°C 的温度漂移。这种高精度特性在医疗设备(如 MRI 成像)中尤为关键,其输出电压的微小波动可能导致图像分辨率下降。在工业自动化领域,AD5791 与 LTZ1000 基准电压源的组合可提供纳米级精度的执行器控制,满足精密定位需求。


对于高频应用,如 5G 射频收发器测试,信号源需覆盖 GHz 级带宽并保持低失真。罗德与施瓦茨的 SMW200A 矢量信号发生器支持 71GHz 频段,结合 FSW85 频谱分析仪的 8.3GHz 分析带宽,可精确验证 5G NR 信号的调制质量(如 EVM<1.5%)。其超量程模式下的谐波抑制能力(-80dBc 以下)有效避免了信号干扰对测试结果的影响。

三、测量精度:噪声、THD 与 SNR 的多维度把控

测量精度是 ATE 性能的核心指标,涉及噪声抑制、非线性失真分析等关键技术。Keysight Truevolt 数字万用表通过 12 位 ADC 与专利滤波算法,实现了 16ppm 的直流电压精度和皮安级电流测量能力。其低噪声特性(输入偏置电流比竞品低 30%)在测试微弱信号(如传感器接口电路)时优势显著。


在 THD 和 SNR 测试中,频谱分析技术不可或缺。泰克 6 系列 MSO 示波器的 12 位 ADC 与 8GHz 带宽,可捕获高速信号的细微失真(如 1GHz 正弦波的 THD<0.001%)。结合数字荧光技术(>500,000 波形 / 秒的捕获率),可快速定位偶发噪声事件,提升测试覆盖率。

四、带宽与直流参数测量:高频与静态特性的双重挑战

带宽决定了 ATE 对高速信号的处理能力。例如,车载雷达测试需支持 4GHz 带宽(如英飞凌 BGT60ATR24C)以实现 1m 的距离分辨率。PXI 平台的模块化设计(如 NI 的 PXIe-5644R 矢量信号收发器)通过同步触发与低延迟架构,可同时处理多通道高频信号,满足 MIMO 系统校准需求。


直流参数测量单元(PMU)是电源管理芯片测试的关键。Teradyne ETS-364 的 QP LU 模块提供 1ppm 精度的电压源,支持 ±30V 范围内的四象限测量。其波形捕获功能(如 WCU-2220)可记录纳秒级瞬态电流变化,精准分析芯片的启动特性与功耗分布。在量产测试中,MAX9972 四通道驱动器 / 比较器通过 300Mbps 的高速切换与窗口比较功能,实现多引脚并行测试,效率提升 70% 以上。

五、混合信号测试的复杂性与解决方案

混合信号 IC 的测试需同步处理模拟与数字域的协同问题。例如,传感器接口电路需验证 ADC 的 INL/DNL 参数,传统 I2C 通信方式因速率限制(400kHz)导致测试时间长达 9 秒,而并行数据输出模式(如 Teradyne UltraFLEX 的 1.6Gbps 数字通道)可将时间压缩至 0.13 秒。此外,电源噪声抑制技术(如 ADP5070+LC 滤波器 + LDO 的三级架构)可将 DAC 输出噪声降至 3.7μVp-p,满足医疗设备对信号纯净度的严苛要求。

六、行业趋势与未来展望

  1. 高精度与高频化:随着 6G 通信(太赫兹频段)和量子计算的发展,ATE 需突破 100GHz 带宽与亚飞秒级定时精度。
  2. AI 驱动的测试优化:机器学习算法可动态调整测试参数,如基于噪声分布预测的自适应滤波策略,减少冗余测试步骤。
  3. 多场景适配:汽车电子领域对车载雷达(60GHz)与自动驾驶芯片的测试需求激增,推动 ATE 向多通道、高集成方向发展。
  4. 成本与效率平衡:通过 DFT(可测性设计)与统计采样技术,在保证精度的前提下降低测试时间与设备投入,如 ADC 测试中的非均匀采样策略。

七、结论

模拟 / 混合信号 ATE 的技术演进始终围绕 “精度、速度、成本” 三角模型展开。从 AD5791 的 1ppm 电压源到 PXI 平台的多通道相参测试,从 Keysight 的低噪声万用表到 Teradyne 的高速 PMU,ATE 厂商通过硬件创新与算法优化不断突破技术边界。未来,随着半导体工艺向 3nm 以下演进,ATE 需在亚纳秒时序控制、飞安级电流测量等领域持续突破,为下一代 IC 的研发与量产提供坚实支撑。


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